அயனி சிதறலுக்கு, நீரில் கரைந்த சிதறல் நேர்மறை அயனிகள் மற்றும் எதிர்மறை அயனிகளை அயனியாக்க முடியும், இந்த அயனிகள் வெவ்வேறு கட்டணங்களுடன் கூழ் துகள்களின் மேற்பரப்பில் உறிஞ்சப்பட்டு, பின்னர் அயனியின் மேற்பரப்பில் இரட்டை மின்சார அடுக்கை உருவாக்கி, சாத்தியமான முன்னேற்றத்திற்கு வழிவகுக்கும். அயனி அல்லாத சிதறலைப் பொறுத்தவரை, சிதறல் தண்ணீரில் கரைக்கப்பட்டு கூழ் துகள் மேற்பரப்பில் உறிஞ்சப்படுகிறது, இது துகள் சுற்றியுள்ள மற்றும் ஸ்டெரிக் தடையை உருவாக்குகிறது, இது எதிர்வினை மற்றும் எதிர்வினை மையத்திற்கு இடையிலான தொடர்புக்கு தடையாக இருக்கிறது.

சோடியம் ஹெட்டாஃபாஸ்பேட் பாலிபாஸ்பேட்டுக்கு சொந்தமானது. அதன் மூலக்கூறு அமைப்பு வட்டமானது, ஆனால் இது ஒரு நேரியல் நீண்ட சங்கிலி உள்ளமைவைக் கொண்டுள்ளது. இது இறுதிக் குழு வழியாக துகள் மேற்பரப்பில் சேர்க்கப்படுகிறது, அதே நேரத்தில் நடுத்தர சங்கிலி அடிப்படையில் பிணைப்பில் ஈடுபடவில்லை, இது கூடுதல் மின்னியல் விரட்டலை வழங்க முடியும். சோடியம் ஹெட்டாஃபாஸ்பேட்டின் அயனியாக்கம் செய்யப்பட்ட அனான்கள் துகள் மேற்பரப்பில் உறிஞ்சப்பட்ட நீரில் கரைந்தன, இது துகள் மேற்பரப்பின் எலக்ட்ரோநெக்டிவிட்டியை அதிகரித்தது. கூடுதலாக, அயனியாக்கம் செய்யப்பட்ட Na+ அயனிகள் இரட்டை மின்சார அடுக்கின் தடிமன் அதிகரிக்கும், மற்றும்சோடியம் ஹெக்ஸாமெட்டாஃபாஸ்பேட்இந்த இரண்டு விளைவுகளின் கீழ் ஒரு சிதறல் விளைவை வகிக்கிறது.

இந்த இரண்டு விளைவுகளும் துகள்களுக்கு இடையில் விரட்டக்கூடிய சக்தியை அதிகரிக்கும், இதன் விளைவாக மொத்த கட்டமைப்பில் மூடப்பட்டிருக்கும் இலவச நீரின் வெளியீடு, எனவேசோடியம் ஹெக்ஸாமெட்டாஃபாஸ்பேட்துகள்களை சிதறடிப்பது மற்றும் மசகு துகள்கள் ஆகியவற்றின் பங்கை சிதறடிக்க முடியும். திரவ - திரவ மற்றும் திட - திரவத்திற்கு இடையிலான இடைமுக பதற்றத்தை குறைப்பதே இதன் முக்கிய நோக்கம். எனவேசோடியம் ஹெக்ஸாமெட்டாஃபாஸ்பேட்சிதறல் ஒரு மேற்பரப்பு.