ಅಯಾನಿಕ್ ಪ್ರಸರಣಕ್ಕಾಗಿ, ನೀರಿನಲ್ಲಿ ಕರಗಿದ ಪ್ರಸರಣವು ಧನಾತ್ಮಕ ಅಯಾನುಗಳು ಮತ್ತು ಋಣಾತ್ಮಕ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಅಯಾನೀಕರಿಸಬಹುದು, ಈ ಅಯಾನುಗಳು ವಿವಿಧ ಚಾರ್ಜ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಕೊಲೊಯ್ಡ್ ಕಣಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಅಯಾನಿನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಎರಡು ವಿದ್ಯುತ್ ಪದರವನ್ನು ರಚಿಸುತ್ತವೆ, ಇದು ಸಂಭಾವ್ಯ ಸುಧಾರಣೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.ಅಯಾನಿಕ್ ಅಲ್ಲದ ಪ್ರಸರಣಕ್ಕೆ, ಪ್ರಸರಣವನ್ನು ನೀರಿನಲ್ಲಿ ಕರಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕೊಲೊಯ್ಡಲ್ ಕಣದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಕಣವನ್ನು ಸುತ್ತುವರೆದಿದೆ ಮತ್ತು ಸ್ಟೆರಿಕ್ ಅಡಚಣೆಯನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ, ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಕಾರಕ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಕೇಂದ್ರದ ನಡುವಿನ ಸಂಪರ್ಕವನ್ನು ತಡೆಯುತ್ತದೆ.

ಸೋಡಿಯಂ ಹೆಟಾಫಾಸ್ಫೇಟ್ ಪಾಲಿಫಾಸ್ಫೇಟ್ಗೆ ಸೇರಿದೆ.ಇದರ ಆಣ್ವಿಕ ರಚನೆಯು ವೃತ್ತಾಕಾರವಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಇದು ರೇಖೀಯ ದೀರ್ಘ ಸರಪಳಿ ಸಂರಚನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.ಇದು ಅಂತಿಮ ಗುಂಪಿನ ಮೂಲಕ ಕಣದ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಹೀರಲ್ಪಡುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಮಧ್ಯದ ಸರಪಳಿಯು ಮೂಲಭೂತವಾಗಿ ಬಂಧದಲ್ಲಿ ಒಳಗೊಂಡಿರುವುದಿಲ್ಲ, ಇದು ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಸ್ಥಾಯೀವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ವಿಕರ್ಷಣೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ.ಕಣದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಲ್ಪಟ್ಟ ನೀರಿನಲ್ಲಿ ಕರಗಿದ ಸೋಡಿಯಂ ಹೆಟಾಫಾಸ್ಫೇಟ್‌ನ ಅಯಾನೀಕೃತ ಅಯಾನು, ಇದು ಕಣದ ಮೇಲ್ಮೈಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋನೆಜಿಟಿವಿಟಿಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಿತು.ಜೊತೆಗೆ, ಅಯಾನೀಕೃತ Na+ ಅಯಾನುಗಳು ಎರಡು ವಿದ್ಯುತ್ ಪದರದ ದಪ್ಪವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು, ಮತ್ತುಸೋಡಿಯಂ ಹೆಕ್ಸಾಮೆಟಾಫಾಸ್ಫೇಟ್ಈ ಎರಡು ಪರಿಣಾಮಗಳ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಪ್ರಸರಣ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ವಹಿಸುತ್ತದೆ.

ಈ ಎರಡೂ ಪರಿಣಾಮಗಳು ಕಣಗಳ ನಡುವಿನ ವಿಕರ್ಷಣ ಬಲವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತವೆ, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಒಟ್ಟು ರಚನೆಯಲ್ಲಿ ಸುತ್ತುವ ಉಚಿತ ನೀರು ಬಿಡುಗಡೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದಸೋಡಿಯಂ ಹೆಕ್ಸಾಮೆಟಾಫಾಸ್ಫೇಟ್ಪ್ರಸರಣವು ಕಣಗಳನ್ನು ಚದುರಿಸುವ ಮತ್ತು ನಯಗೊಳಿಸುವ ಕಣಗಳ ಪಾತ್ರವನ್ನು ವಹಿಸುತ್ತದೆ.ದ್ರವ - ದ್ರವ ಮತ್ತು ಘನ - ದ್ರವದ ನಡುವಿನ ಇಂಟರ್ಫೇಶಿಯಲ್ ಒತ್ತಡವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದು ಇದರ ಮುಖ್ಯ ಉದ್ದೇಶವಾಗಿದೆ.ಆದ್ದರಿಂದಸೋಡಿಯಂ ಹೆಕ್ಸಾಮೆಟಾಫಾಸ್ಫೇಟ್ಪ್ರಸರಣವು ಒಂದು ಸರ್ಫ್ಯಾಕ್ಟಂಟ್ ಆಗಿದೆ.