આયનીય વિખેરી નાખનાર માટે, પાણીમાં ઓગળેલા વિખેરી નાખનાર સકારાત્મક આયનો અને નકારાત્મક આયનોને આયનો કરી શકે છે, આ આયનો વિવિધ ચાર્જવાળા કોલોઇડ કણોની સપાટી પર શોષાય છે, અને પછી આયનની સપાટી પર ડબલ ઇલેક્ટ્રિક સ્તર બનાવ્યો છે, જેનાથી સંભવિત સુધારણા થાય છે. નોન-આયનિક વિખેરી કરનાર માટે, વિખેરી નાખનાર પાણીમાં ઓગળી જાય છે અને કોલોઇડલ કણની સપાટી પર શોષાય છે, જે કણની આસપાસ છે અને સ્ટીરિક અવરોધ રચે છે, પ્રતિક્રિયા રીએજન્ટ અને પ્રતિક્રિયા કેન્દ્ર વચ્ચેના સંપર્કને અવરોધે છે.

સોડિયમ હેટાફોસ્ફેટ પોલિફોસ્ફેટનું છે. તેની પરમાણુ રચના પરિપત્ર છે, પરંતુ તેમાં રેખીય લાંબી સાંકળ ગોઠવણી છે. તે અંતિમ જૂથ દ્વારા કણની સપાટી પર શોષાય છે, જ્યારે મધ્યમ સાંકળ મૂળભૂત રીતે બોન્ડિંગમાં સામેલ નથી, જે વધારાના ઇલેક્ટ્રોસ્ટેટિક રિપ્લેશન પ્રદાન કરી શકે છે. સોડિયમ હેટાફોસ્ફેટની આયનોઇઝ્ડ આયન કણોની સપાટી પર શોષાયેલા પાણીમાં ઓગળી જાય છે, જેણે કણોની સપાટીની ઇલેક્ટ્રોનેગેટિવિટીમાં વધારો કર્યો છે. આ ઉપરાંત, આયનાઇઝ્ડ ના+ આયનો ડબલ ઇલેક્ટ્રિક સ્તરની જાડાઈમાં વધારો કરી શકે છે, અનેસોડિયમ હેક્સામેટાફોસ્ફેટઆ બે અસરો હેઠળ વિખેરી નાખેલી અસર ભજવે છે.

આ બંને અસરો કણો વચ્ચેના વિકરાળ બળમાં વધારો કરશે, પરિણામે એકંદર માળખામાં લપેટાયેલા મફત પાણીના પ્રકાશન, તેથીસોડિયમ હેક્સામેટાફોસ્ફેટવિખેરી નાખનાર કણો અને લુબ્રિકેટિંગ કણોને વિખેરવાની ભૂમિકા ભજવી શકે છે. તેનો મુખ્ય હેતુ પ્રવાહી - પ્રવાહી અને નક્કર - પ્રવાહી વચ્ચેના ઇન્ટરફેસિયલ તણાવને ઘટાડવાનો છે. એવુંસોડિયમ હેક્સામેટાફોસ્ફેટવિખેરી નાખનાર પણ સરફેક્ટન્ટ છે.